Molekullar flaş yaddaşın tutumunu artırmağa imkan verəcək

21 Noyabr 2014 - 18:00 | Texnoloji yeniliklər
Molekullar flaş yaddaşın tutumunu artırmağa imkan verəcək

Böyük Britaniya və İspaniya alimləri informasiyanı yadda saxlamaq üçün yeni qurğu təqdim ediblər. Qurğunun əsasını nanoölçülü  polioksometalatlar təşkil edir. Yeni materialın istifadə olunması flaş-yaddaşın həcmini əhəmiyyətli dərəcədə artırmağa imkan verəcək. Bu, informasiya daşıyıcılarının daha da kiçilməsinə səbəb olacaq.

lenta.ru saytının məlumatına görə, müəlliflər flaş-yaddaşda istifadə olunan yarımkeçiricilərin “Metal-Oksid-Yarımkeçirici” (MOY) strukturunu polioksometalat klasterləri ilə əvəz etməyi təklif ediblər. MOY-strukturu müxtəlif yarımkeçiricili qurğuların istehsalında istifadə olunur.

MOY-strukturunun keçiricilik xüsusiyyətləri onun elektroduna gərginlik verməklə idarə edilir. Alimlər nanoölçülü polioksometalatlar əlavə etməklə MOY-strukturun oksid təbəqəsini modifikasiya etməyi planlaşdırır.

Əvvəllər alimlər tərəfindən MOY-struktura olunan əlavələr aşağı elektrik keçiriciliyinə və nümunənin qızmasına gətirib çıxarırdı. Yeni MOY-strukturda isə oksidləşdirici xüsusiyyətinə görə saxlanılan informasiyanın həcmi artırıla bilər.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.iсt.az saytına istinad zəruridir.