Molekullar flaş yaddaşın tutumunu artırmağa imkan verəcək Noyabr 21, 2014 | 06:00 / Texnoloji yeniliklər

Böyük Britaniya və İspaniya alimləri informasiyanı yadda saxlamaq üçün yeni qurğu təqdim ediblər. Qurğunun əsasını nanoölçülü  polioksometalatlar təşkil edir. Yeni materialın istifadə olunması flaş-yaddaşın həcmini əhəmiyyətli dərəcədə artırmağa imkan verəcək. Bu, informasiya daşıyıcılarının daha da kiçilməsinə səbəb olacaq.

lenta.ru saytının məlumatına görə, müəlliflər flaş-yaddaşda istifadə olunan yarımkeçiricilərin “Metal-Oksid-Yarımkeçirici” (MOY) strukturunu polioksometalat klasterləri ilə əvəz etməyi təklif ediblər. MOY-strukturu müxtəlif yarımkeçiricili qurğuların istehsalında istifadə olunur.

MOY-strukturunun keçiricilik xüsusiyyətləri onun elektroduna gərginlik verməklə idarə edilir. Alimlər nanoölçülü polioksometalatlar əlavə etməklə MOY-strukturun oksid təbəqəsini modifikasiya etməyi planlaşdırır.

Əvvəllər alimlər tərəfindən MOY-struktura olunan əlavələr aşağı elektrik keçiriciliyinə və nümunənin qızmasına gətirib çıxarırdı. Yeni MOY-strukturda isə oksidləşdirici xüsusiyyətinə görə saxlanılan informasiyanın həcmi artırıla bilər.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.iсt.az saytına istinad zəruridir.

İŞ FƏALİYYƏTİNİZƏ BİZİMLƏ BAŞLAYIN!
Ətraflı
BİZİM YARADICI VƏ ÖZÜNƏMƏXSUS İDEYALARIMIZA ETİBAR EDİN!
Ətraflı
ƏLVERİŞLİ QİYMƏTLƏRƏ KEYFiYYƏTLİ VƏ RƏNGARƏNG NƏŞRİYYAT İŞLƏRİ!
Ətraflı
İT BİLİKLƏRİNİZİ İNKİŞAF ETDİRƏRƏK KARYERANIZI DƏYİŞİN!
Ətraflı
ZƏNGİN E-KİTABXANA XİDMƏTLƏRİ!
Ətraflı