“IBM” və “Samsung” şirkətləri enerjidən asılı olmayan yaddaş istehsalının texnoloji prosesinin yaradılmasını elan edib. Yeni qurğu NAND fləş-kartlarından 100 min dəfə daha sürətli işləyir və praktiki olaraq qeyri-məhdud oxuma və yazma dövrü resursuna malikdir.

“Открытые системы” jurnalının məlumatına görə, şirkətlər STT (spin-transfer torque) texnologiyasından istifadə edərək növbəti nəsil maqnitrezistiv yaddaş (MRAM) hazırlayırlar. Bu, NAND fləş-kartlarının istifadə olunduğu daşınan qurğular və mobil texnika, o cümlədən Əşyaların İnternetinin tənzimləyiciləri üçün daha effektiv kiçik həcmli yaddaş mikrosxemlərini hazırlamağa imkan verəcək.

Əgər NAND fləş-kartlarında məlumatların yazılması üçün bir millisaniyə tələb olunursa, MRAM-da bu prosedur cəmi 10 nanosaniyə olacaq.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.iсt.az saytına istinad zəruridir.